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von http://www.studentshelp.de/p/referate/02/6159.htmDurch die Temperaturabhängigkeit und die Exemplarstreung der Transistorkennwerte kann es zu einer mehr oder weniger starken Arbeitspunktverschiebung (IC, UCE) kommen, welche Verzerrungen oder bei Transistoren, die größere Eigenwärme erzeugen, unter Umständen sogar thermische Zerstörung zur Folge haben.
Temperatrurabhängige Transistorkennwerte:
UBE: Mit steigendere Temperatur wird die für einen bestimmten Strom benötigte Spannung
UBE an der leitenden Emitterdiode kleiner. Die erforderliche Spannung UBE nimmt um
etwa 2mV/K wie die Flußspannung bei einer normalen Diode ab. (Da die Ladungsträger-
beweglichkeit mit steigender Temperatur zunimmt wird die Flußspannung kleiner.)
Durch die Temperaturabhängigkeit und die Exemplarstreung der Transistorkennwerte kann es zu einer mehr oder weniger starken Arbeitspunktverschiebung (IC, UCE) kommen, welche Verzerrungen oder bei Transistoren, die größere Eigenwärme erzeugen, unter Umständen sogar thermische Zerstörung zur Folge haben.